預計與硅互補的金屬氧化物半導體(CMOS)器件的規?；瘜⒃?020年左右結束，但是，能夠保持計算能力和能源效率進步的替代技術尚未建立。在眾多選擇中，基于碳納米管的電子器件被證明是最有前途的候選之一?，F如今已開發出多種方法來制備適用于集成電路的高純度半導體碳納米管，并且證明了5nm納米管晶體管比硅CMOS具有更好的性能。在這里，我們探索碳納米管數字電子技術的潛力。研究了基于納米管的CMOS場效應晶體管的開發，以及可用于構建集成電路的不同納米管材料系統。我們還將重點介紹迄今為止創建的中型集成電路，并考慮了在交付大型系統時所面臨的挑戰。
Fig. 1 CNT FET的制造及特性。
Fig. 2 基于CNT的可縮放FET。
Fig. 3 電子應用的CNT材料系統。
Fig. 4 中型CNT集成電路。
Fig. 5 基于CNT的五級環形振蕩器電路。
相關研究成果于2019年由北京大學彭練矛課題組，發表在Nature Electronics (https://doi.org/10.1038/s41928-019-0330-2)上。原文：Carbon nanotube digital electronics
