報告了石墨烯中最小位錯環(huán)的結(jié)構(gòu)和傳輸特性，這被稱為花缺陷。首先，通過先進的實驗成像技術(shù)，推斷出化學(xué)氣相沉積石墨烯的重結(jié)晶過程中如何形成花缺陷。提出花缺陷是由凸起類型的機理引起的，其中花域是動態(tài)再結(jié)晶留下的晶粒。接下來，為了評估此類缺陷作為全石墨烯電子產(chǎn)品構(gòu)建基塊可能的用途，我們結(jié)合了多尺度建模工具來研究具有花朵缺陷隨機分布的大型單層石墨烯樣品的結(jié)構(gòu)以及電子和聲子的傳輸性質(zhì)。對于足夠大的花朵密度，發(fā)現(xiàn)強烈抑制了電子傳輸，而令人驚訝的是，空穴傳輸幾乎不受影響。這些結(jié)果表明花狀石墨烯可能用于電子能量過濾。對于相同的缺陷密度，由于缺陷引起的彈性散射占主導(dǎo)地位，聲子的傳輸量降低了幾個數(shù)量級。即使在非常低的濃度下，彎曲聲子（石墨烯的關(guān)鍵）的熱傳遞也被大大抑制。
Figure 1. （a）CVD石墨烯的HRTEM圖像。插圖：（a）中的快速傅立葉變換（FFT）和FFT所示的A方向的暗場圖像。（b）在素描的凸起成核機理中鑒定出對應(yīng)于階段II或III的石墨烯凸起。五邊形和七邊形分別以綠色和品紅色突出顯示。
Figure 2. （a-d）與花相關(guān)的尺寸增加的實驗性缺陷。（e-h）DFT計算出與花朵相關(guān)的尺寸增加的缺陷：（e）單一花T
1、（f-g）帶有空位和原花的雙花，以及（h）三朵T
2。（i）一系列基于三角形的域T
n。
Figure 3. （a）在300 K的溫度下，單層石墨烯帶的電導(dǎo)率。（b）平均電導(dǎo)率與花濃度的關(guān)系。
Figure 4. （a）每個原子的狀態(tài)密度與能量的關(guān)系。（b）在E=-0.35 eV處的狀態(tài)密度（頂部）和局部光譜電流強度（底部）的局部變化，由（a）中的黃點表示。（c）與（b）相同，在E=0.2 eV時，由（a）中的綠點表示。（d）與（b）相同，在E=0.5 eV時，由（a）中的洋紅色點表示。
相關(guān)研究成果于2020年由格勒諾布爾-阿爾卑斯大學(xué)Alessandro Cresti課題組，發(fā)表在Carbon（doi.org/10.1016/j.carbon.2020.01.040）上。原文：Growth, charge and thermal transport of flowered graphene。
本帖摘自《石墨烯雜志》公眾號：
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